Продукція > STMICROELECTRONICS > STB18N60M2
STB18N60M2

STB18N60M2 STMicroelectronics

en.DM00086800.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+71.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB18N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB18N60M2 за ціною від 68.14 грн до 208.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB18N60M2 STB18N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086800.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.76 грн
10+128.81 грн
100+95.74 грн
500+72.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb18n60m2-1850104.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.27 грн
10+152.72 грн
100+100.14 грн
500+80.55 грн
1000+71.04 грн
2000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086800.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp18n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 Виробник : STMicroelectronics 971679743907515dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 Виробник : STMicroelectronics 971679743907515dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 Виробник : STMicroelectronics 971679743907515dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.