Продукція > STMICROELECTRONICS > STB18N60M6
STB18N60M6

STB18N60M6 STMICROELECTRONICS

stb18n60m6.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+83.72 грн
500+65.44 грн
1000+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB18N60M6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STB18N60M6 за ціною від 56.64 грн до 181.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB18N60M6 STB18N60M6 STMICROELECTRONICS stb18n60m6.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.26 грн
10+112.17 грн
100+83.72 грн
500+65.44 грн
1000+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 STB18N60M6 STMicroelectronics stb18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 stb18n60m6.pdf
STB18N60M6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB18N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+181.26 грн
10+112.17 грн
100+83.72 грн
500+65.44 грн
1000+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 stb18n60m6.pdf
STB18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.