Продукція > STMICROELECTRONICS > STB18N65M5
STB18N65M5

STB18N65M5 STMICROELECTRONICS

2815975.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.198ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+147.95 грн
500+112.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB18N65M5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STB18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.198ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB18N65M5 за ціною від 82.62 грн до 257.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB18N65M5 STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+163.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+174.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.34 грн
10+162.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.61 грн
10+182.18 грн
100+119.00 грн
500+100.05 грн
1000+87.17 грн
2000+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS 2815975.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+257.64 грн
10+197.27 грн
100+147.95 грн
500+112.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A50293D9A0D2&compId=stb18n65m5.pdf?ci_sign=a9bc845a9531f59bb734b47b6b45acec5df51d48 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A50293D9A0D2&compId=stb18n65m5.pdf?ci_sign=a9bc845a9531f59bb734b47b6b45acec5df51d48 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.