STB18NF25

STB18NF25 STMicroelectronics


en.CD00256430.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+55.98 грн
2000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB18NF25 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB18NF25 за ціною від 47.38 грн до 209.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+62.24 грн
2000+61.46 грн
5000+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+73.74 грн
2000+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+78.96 грн
2000+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005002475-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.88 грн
200+84.03 грн
500+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMicroelectronics STB18NF25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 250V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.34 грн
10+97.58 грн
50+76.55 грн
100+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMicroelectronics en.CD00256430.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.17 грн
10+108.64 грн
100+75.36 грн
500+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMicroelectronics en.CD00256430.pdf MOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.84 грн
10+110.10 грн
100+65.48 грн
500+52.13 грн
1000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005002475-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.38 грн
10+131.26 грн
50+110.88 грн
200+84.03 грн
500+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+209.56 грн
97+134.53 грн
105+124.19 грн
200+88.98 грн
500+80.85 грн
1000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 Виробник : STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.