Продукція > STMICROELECTRONICS > STB18NF25
STB18NF25

STB18NF25 STMicroelectronics

en.CD00256430.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+55.69 грн
2000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB18NF25 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB18NF25 за ціною від 56.51 грн до 228.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB18NF25 STB18NF25 STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.37 грн
2000+62.58 грн
5000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.39 грн
2000+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.45 грн
2000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 STMicroelectronics STB18NF25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 250V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.51 грн
10+102.92 грн
50+79.49 грн
100+71.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 STMicroelectronics en.CD00256430.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.27 грн
10+108.07 грн
100+74.96 грн
500+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 STMicroelectronics stb18nf25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.61 грн
97+146.76 грн
105+135.48 грн
200+97.07 грн
500+88.20 грн
1000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 STMicroelectronics en.CD00256430.pdf MOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005002475-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005002475-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 stb18nf25.pdf
STB18NF25
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 stb18nf25.pdf
STB18NF25
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.37 грн
2000+62.58 грн
5000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 stb18nf25.pdf
STB18NF25
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+80.39 грн
2000+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 stb18nf25.pdf
STB18NF25
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+80.45 грн
2000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 STB18NF25.pdf
STB18NF25
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 250V; 12A; Idm: 68A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.3nC
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 250V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+168.51 грн
10+102.92 грн
50+79.49 грн
100+71.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 en.CD00256430.pdf
STB18NF25
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.27 грн
10+108.07 грн
100+74.96 грн
500+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 stb18nf25.pdf
STB18NF25
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+228.61 грн
97+146.76 грн
105+135.48 грн
200+97.07 грн
500+88.20 грн
1000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 en.CD00256430.pdf
STB18NF25
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 SGST-S-A0005002475-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STB18NF25
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NF25 SGST-S-A0005002475-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STB18NF25
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NF25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.