STB18NM80 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 148.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB18NM80 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STB18NM80 за ціною від 144.75 грн до 435.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
на замовлення 8936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB18NM80 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 17A; 190W; D2PAK,TO263; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 190W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 25V On-state resistance: 0.295Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Gate charge: 70nC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |