STB18NM80

STB18NM80 STMicroelectronics


en.CD00226154.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+147.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB18NM80 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB18NM80 за ціною від 141.84 грн до 452.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB18NM80 STB18NM80 Виробник : STMicroelectronics en.CD00226154.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 9176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.89 грн
10+249.99 грн
100+179.29 грн
500+163.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80 STB18NM80 Виробник : STMICROELECTRONICS en.CD00226154.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+437.17 грн
10+292.27 грн
100+209.94 грн
500+162.07 грн
1000+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80 STB18NM80 Виробник : STMicroelectronics stb18nm80-1850105.pdf MOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.09 грн
10+297.93 грн
100+186.41 грн
500+154.85 грн
1000+153.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80 Виробник : STMicroelectronics en.CD00226154.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+208.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80 STB18NM80 Виробник : STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80 STB18NM80 Виробник : STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80 STB18NM80 Виробник : STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB18NM80 Виробник : STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.