Продукція > STMICROELECTRONICS > STB20N90K5
STB20N90K5

STB20N90K5 STMicroelectronics

en.DM00281598.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+199.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB20N90K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm.

Інші пропозиції STB20N90K5 за ціною від 206.23 грн до 642.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB20N90K5 STB20N90K5 STMicroelectronics stb20n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+298.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 STB20N90K5 STMicroelectronics stb20n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+299.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 STB20N90K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006489362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+452.75 грн
50+336.63 грн
100+284.96 грн
250+262.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 STB20N90K5 STMicroelectronics en.DM00281598.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.69 грн
10+312.48 грн
100+234.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 STB20N90K5 STMicroelectronics en.DM00281598.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.17 грн
10+362.16 грн
100+229.22 грн
500+220.86 грн
1000+206.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 STB20N90K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006489362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+642.96 грн
5+507.22 грн
10+452.75 грн
50+336.63 грн
100+284.96 грн
250+262.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 stb20n90k5.pdf
STB20N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+298.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 stb20n90k5.pdf
STB20N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+299.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 SGST-S-A0006489362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB20N90K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+452.75 грн
50+336.63 грн
100+284.96 грн
250+262.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 en.DM00281598.pdf
STB20N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+479.69 грн
10+312.48 грн
100+234.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 en.DM00281598.pdf
STB20N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+542.17 грн
10+362.16 грн
100+229.22 грн
500+220.86 грн
1000+206.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 SGST-S-A0006489362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB20N90K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+642.96 грн
5+507.22 грн
10+452.75 грн
50+336.63 грн
100+284.96 грн
250+262.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.