Продукція > STMICROELECTRONICS > STB20N90K5
STB20N90K5

STB20N90K5 STMicroelectronics

en.DM00281598.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+198.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB20N90K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB20N90K5 за ціною від 198.89 грн до 505.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB20N90K5 STB20N90K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00281598.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.79 грн
10+311.89 грн
100+234.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 STB20N90K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00281598.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.44 грн
10+337.48 грн
100+220.44 грн
1000+198.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20N90K5 Виробник : STM en.DM00281598.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.