Продукція > STMICROELECTRONICS > STB20NM50FDT4
STB20NM50FDT4

STB20NM50FDT4 STMicroelectronics

stb20nm50fd.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.97 грн
10+284.54 грн
100+248.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB20NM50FDT4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STB20NM50FDT4 за ціною від 219.23 грн до 492.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB20NM50FDT4 STB20NM50FDT4 Виробник : STMicroelectronics sgsts21379_1-2282381.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.66 грн
10+351.95 грн
25+304.57 грн
100+233.21 грн
250+232.48 грн
500+219.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4 STB20NM50FDT4 Виробник : STMicroelectronics 703884410224970cd00002476.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4 STB20NM50FDT4 Виробник : STMicroelectronics stb20nm50fd.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4 STB20NM50FDT4 Виробник : STMicroelectronics stb20nm50fd.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM50FDT4 STB20NM50FDT4 Виробник : STMicroelectronics stb20nm50fd.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.