STB20NM50T4 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB20NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 438.86 грн |
| 5+ | 404.05 грн |
| 10+ | 369.25 грн |
| 50+ | 315.29 грн |
| 100+ | 235.74 грн |
| 250+ | 231.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB20NM50T4 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB20NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STB20NM50T4 за ціною від 172.53 грн до 482.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB20NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB20NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB20NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STB20NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
STB20NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
STB20NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |