STB20NM60T4 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 155.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB20NM60T4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STB20NM60T4 за ціною від 141.76 грн до 393.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
| STB20NM60T4 | Виробник : ST |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| STB20NM60T4 | Виробник : ST |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
|
STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
| STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||
|
STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |


