| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 412.93 грн |
| 10+ | 266.81 грн |
| 100+ | 173.48 грн |
| 500+ | 144.92 грн |
| 1000+ | 131.68 грн |
| 2000+ | 126.80 грн |
| 5000+ | 125.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB20NM60T4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V.
Інші пропозиції STB20NM60T4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STB20NM60T4 | Виробник : ST |
 TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| STB20NM60T4 | Виробник : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
STB20NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V |
товару немає в наявності |