STB21N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 159.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB21N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STB21N65M5 за ціною від 155.59 грн до 373.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V |
на замовлення 4761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB21N65M5 Код товару: 190960
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
STB21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STB21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STB21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STB21N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |