Продукція > STMICROELECTRONICS > STB21N65M5
STB21N65M5

STB21N65M5 STMicroelectronics

stp21n65m5.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.25 грн
10+ 267.99 грн
100+ 216.77 грн
500+ 180.83 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB21N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB21N65M5 за ціною від 161.41 грн до 365.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB21N65M5 STB21N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb21n65m5-1850043.pdf MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+365.01 грн
10+ 301.74 грн
25+ 247.77 грн
100+ 212.56 грн
250+ 200.61 грн
500+ 189.31 грн
1000+ 161.41 грн
STB21N65M5
Код товару: 190960 		stp21n65m5.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB21N65M5 STB21N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1567493300791826cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB21N65M5 STB21N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1567493300791826cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB21N65M5 STB21N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1567493300791826cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB21N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1567493300791826cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB21N65M5 STB21N65M5 Виробник : STMicroelectronics stp21n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товар відсутній