Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB21N65M5

STB21N65M5

stp21n65m5.pdf
Код товару: 190960
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB21N65M5 за ціною від 137.84 грн до 364.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB21N65M5 STB21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+137.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5 STB21N65M5 STMicroelectronics stb21n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5 STB21N65M5 STMicroelectronics stb21n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5 STB21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.47 грн
10+233.98 грн
100+167.67 грн
500+152.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5 STB21N65M5 STMicroelectronics stp21n65m5.pdf MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5 stp21n65m5.pdf
STB21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+137.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5 stb21n65m5.pdf
STB21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5 stb21n65m5.pdf
STB21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5 stp21n65m5.pdf
STB21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.47 грн
10+233.98 грн
100+167.67 грн
500+152.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5 stp21n65m5.pdf
STB21N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.