Технічний опис STB21N90K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STB21N90K5 за ціною від 240.91 грн до 553.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB21N90K5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STB21N90K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STB21N90K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STB21N90K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STB21N90K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
STB21N90K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 660 шт В кошику од. на суму грн. |
| STB21N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 315.37 грн |
| STB21N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 339.89 грн |
| STB21N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 476.14 грн |
| STB21N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 553.70 грн |
| 10+ | 361.64 грн |
| 100+ | 264.38 грн |
| 500+ | 240.91 грн |
| STB21N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB21N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)