STB21N90K5 STMicroelectronics


en.CD00255284.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+211.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB21N90K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB21N90K5 за ціною від 219.47 грн до 564.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB21N90K5 STB21N90K5 STMicroelectronics stb21n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+315.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 STB21N90K5 STMicroelectronics stb21n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+316.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 STB21N90K5 STMicroelectronics stb21n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+340.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 STB21N90K5 STMicroelectronics stb21n90k5.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+477.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 STB21N90K5 STMicroelectronics en.CD00255284.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.48 грн
10+351.50 грн
100+256.94 грн
500+234.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 STB21N90K5 STMicroelectronics en.CD00255284.pdf MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+564.93 грн
10+377.38 грн
100+239.67 грн
500+232.71 грн
1000+219.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 stb21n90k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+315.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 stb21n90k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+316.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 stb21n90k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+340.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 stb21n90k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+477.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 en.CD00255284.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+538.48 грн
10+351.50 грн
100+256.94 грн
500+234.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5 en.CD00255284.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+564.93 грн
10+377.38 грн
100+239.67 грн
500+232.71 грн
1000+219.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.