STB22NM60N

STB22NM60N STMicroelectronics


cd00237949-1797000.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.88 грн
1000+ 209.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB22NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STB22NM60N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB22NM60N en.CD00237949.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STB22NM60N STB22NM60N Виробник : STMicroelectronics 819903115250888cd00237949.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB22NM60N Виробник : STMicroelectronics 819903115250888cd00237949.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB22NM60N STB22NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00237949.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товар відсутній
STB22NM60N STB22NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00237949.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товар відсутній