
STB22NM60N STMicroelectronics
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 193.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB22NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STB22NM60N за ціною від 208.22 грн до 239.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STB22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
STB22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
STB22NM60N |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
![]() |
STB22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
STB22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
STB22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
STB22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |