STB23N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.47 грн |
| 10+ | 249.32 грн |
| 100+ | 185.41 грн |
| 500+ | 155.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB23N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STB23N80K5 за ціною від 157.52 грн до 378.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STB23N80K5 | Виробник : STM |
N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STB23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |