Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB23NM50N

STB23NM50N

stb23nm50n-datasheet.pdf
Код товару: 59758
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB23NM50N за ціною від 147.25 грн до 401.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB23NM50N STB23NM50N STMicroelectronics STB23NM50N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+277.96 грн
10+234.12 грн
100+174.55 грн
250+157.18 грн
500+147.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50N STB23NM50N STMicroelectronics en.CD00259533.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.28 грн
10+257.98 грн
100+185.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50N STB23NM50N STMICROELECTRONICS SGSTS29527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB23NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.162 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50N STB23NM50N STMicroelectronics en.CD00259533.pdf MOSFETs MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50N STB23NM50N.pdf
STB23NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.96 грн
10+234.12 грн
100+174.55 грн
250+157.18 грн
500+147.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50N en.CD00259533.pdf
STB23NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.28 грн
10+257.98 грн
100+185.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50N SGSTS29527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB23NM50N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB23NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.162 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50N en.CD00259533.pdf
STB23NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.