Продукція > STMICROELECTRONICS > STB24N60DM2
STB24N60DM2

STB24N60DM2 STMicroelectronics

stb24n60dm2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+104.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB24N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm.

Інші пропозиції STB24N60DM2 за ціною від 91.85 грн до 329.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics stb24n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMICROELECTRONICS SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.25 грн
500+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics stb24n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.94 грн
100+178.34 грн
500+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.50 грн
10+158.50 грн
50+125.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics en.DM00099972.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+169.45 грн
100+118.62 грн
500+91.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMICROELECTRONICS SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.20 грн
10+225.16 грн
100+155.25 грн
500+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics en.DM00099972.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 stb24n60dm2.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+104.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STB24N60DM2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+155.25 грн
500+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 stb24n60dm2.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+253.94 грн
100+178.34 грн
500+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.50 грн
10+158.50 грн
50+125.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 en.DM00099972.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.85 грн
10+169.45 грн
100+118.62 грн
500+91.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STB24N60DM2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+329.20 грн
10+225.16 грн
100+155.25 грн
500+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 en.DM00099972.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.