Продукція > STMICROELECTRONICS > STB24N60DM2
STB24N60DM2

STB24N60DM2 STMicroelectronics

14232249893125442.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+117.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB24N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STB24N60DM2 за ціною від 89.01 грн до 327.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 14232249893125442.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+125.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00099972.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+160.96 грн
500+123.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.15 грн
10+147.87 грн
50+123.89 грн
100+119.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00099972.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.05 грн
10+175.92 грн
100+123.40 грн
500+103.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.18 грн
10+184.26 грн
50+148.66 грн
100+143.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00099972.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.99 грн
10+193.25 грн
100+125.07 грн
500+105.89 грн
1000+89.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00099972.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+327.09 грн
10+214.33 грн
100+160.96 грн
500+123.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 14232249893125442.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+327.49 грн
58+215.56 грн
100+174.11 грн
500+155.10 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 14232249893125442.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 14232249893125442.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 14232249893125442.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00099972.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.