Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB24N60DM2

STB24N60DM2

en.DM00099972.pdf
Код товару: 223313
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB24N60DM2 за ціною від 127.26 грн до 334.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics STB24N60DM2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+259.48 грн
10+160.35 грн
50+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics stb24n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.47 грн
10+185.53 грн
100+169.56 грн
500+133.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics stb24n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+334.47 грн
77+185.53 грн
100+169.56 грн
500+133.80 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMicroelectronics en.DM00099972.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMICROELECTRONICS SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2 STMICROELECTRONICS SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 STB24N60DM2.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.48 грн
10+160.35 грн
50+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 stb24n60dm2.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+334.47 грн
10+185.53 грн
100+169.56 грн
500+133.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 stb24n60dm2.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+334.47 грн
77+185.53 грн
100+169.56 грн
500+133.80 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 en.DM00099972.pdf
STB24N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STB24N60DM2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60DM2 SGSTS51560-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STB24N60DM2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.