STB24N60M2

STB24N60M2 STMICROELECTRONICS


en.DM00070788.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-262, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+300.40 грн
10+196.42 грн
100+132.87 грн
500+101.92 грн
1000+89.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB24N60M2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-262, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB24N60M2 за ціною від 89.75 грн до 310.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB24N60M2 STB24N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb24n60m2-1850197.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.70 грн
10+200.51 грн
100+118.44 грн
500+97.11 грн
1000+90.49 грн
2000+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M2 STB24N60M2 Виробник : STMicroelectronics 690020111587848dm00070788.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M2 STB24N60M2 Виробник : STMicroelectronics 690020111587848dm00070788.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M2 STB24N60M2 Виробник : STMicroelectronics 690020111587848dm00070788.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M2 Виробник : STMicroelectronics 690020111587848dm00070788.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M2 STB24N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00070788.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M2 STB24N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00070788.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.