Продукція > STMICROELECTRONICS > STB24N60M6
STB24N60M6

STB24N60M6 STMicroelectronics

stb24n60m6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.17 грн
10+159.18 грн
100+111.04 грн
500+84.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB24N60M6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Betriebstemperatur, max.: -, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Інші пропозиції STB24N60M6 за ціною від 186.14 грн до 271.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB24N60M6 STB24N60M6 STMICROELECTRONICS 2721734.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.49 грн
10+186.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 STB24N60M6 STMicroelectronics stb24n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 STB24N60M6 STMICROELECTRONICS 2721734.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 2721734.pdf
STB24N60M6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+271.49 грн
10+186.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 stb24n60m6.pdf
STB24N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 2721734.pdf
STB24N60M6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.