Продукція > STMICROELECTRONICS > STB24N60M6
STB24N60M6

STB24N60M6 STMICROELECTRONICS

2721734.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.22 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB24N60M6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB24N60M6 за ціною від 85.58 грн до 296.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB24N60M6 STB24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stb24n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.37 грн
10+159.60 грн
100+111.54 грн
500+91.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 STB24N60M6 Виробник : STMICROELECTRONICS 2721734.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+284.66 грн
10+186.15 грн
100+130.22 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 STB24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stb24n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.04 грн
10+189.98 грн
100+116.09 грн
500+100.46 грн
1000+89.30 грн
2000+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 STB24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stb24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 STB24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stb24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stb24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB24N60M6 STB24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stb24n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.