STB24N60M6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 259.34 грн |
| 10+ | 193.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB24N60M6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.
Інші пропозиції STB24N60M6 за ціною від 84.40 грн до 285.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB24N60M6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: -°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
STB24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STB24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STB24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STB24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |