STB24NM60N
Код товару: 58647
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Опис: MOSFET N-канал 600 В, 0,168 Ом, 17 А, MDmesh II
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STB24NM60N за ціною від 177.00 грн до 514.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB24NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STB24NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STB24NM60N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STB24NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STB24NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 177.00 грн |
| STB24NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 272.27 грн |
| STB24NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 514.97 грн |
| 10+ | 335.50 грн |
| 100+ | 244.41 грн |
| 500+ | 220.07 грн |
| STB24NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)