STB24NM60N
Код товару: 58647
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Опис: MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STB24NM60N за ціною від 176.01 грн до 535.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STB24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STB24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STB24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 168mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 46nC |
товару немає в наявності |