Продукція > STMICROELECTRONICS > STB26NM60N
STB26NM60N

STB26NM60N STMicroelectronics

560416438071169cd0023.pdf Виробник: STMicroelectronics
STB26NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+219.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB26NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STB26NM60N за ціною від 206.38 грн до 565.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB26NM60N STB26NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00232934.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+225.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N STB26NM60N Виробник : STMicroelectronics 560416438071169cd0023.pdf STB26NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+235.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N STB26NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00232934.pdf MOSFETs POWER MOSFET N-CH 600V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.89 грн
10+368.84 грн
100+246.12 грн
1000+206.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N STB26NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00232934.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.54 грн
10+370.19 грн
100+271.24 грн
500+249.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N STB26NM60N Виробник : STMicroelectronics 560416438071169cd0023.pdf STB26NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB26NM60N STB26NM60N Виробник : STMicroelectronics 560416438071169cd0023.pdf STB26NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.