Продукція > STMICROELECTRONICS > STB27NM60ND
STB27NM60ND

STB27NM60ND STMicroelectronics

1400774663416673cd002.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+343.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB27NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STB27NM60ND за ціною від 289.12 грн до 551.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB27NM60ND STB27NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1400774663416673cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+369.53 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
STB27NM60ND STB27NM60ND Виробник : STMicroelectronics sgsts50077_1-2282383.pdf MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V STripFET D2PAK
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.03 грн
10+499.16 грн
25+416.40 грн
100+371.52 грн
250+358.28 грн
500+341.36 грн
1000+289.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB27NM60ND STB27NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1400774663416673cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB27NM60ND STB27NM60ND Виробник : STMicroelectronics en.DM00064632.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB27NM60ND STB27NM60ND Виробник : STMicroelectronics en.DM00064632.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.