Продукція > STMICROELECTRONICS > STB28N60DM2
STB28N60DM2

STB28N60DM2 STMicroelectronics

ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.49 грн
10+206.60 грн
100+146.13 грн
500+126.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB28N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB28N60DM2 за ціною від 112.56 грн до 357.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB28N60DM2 STB28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb28n60dm2-1850279.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.05 грн
10+234.35 грн
25+203.05 грн
100+144.93 грн
500+119.18 грн
1000+113.30 грн
2000+112.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 STB28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 5281stb28n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 STB28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 5281stb28n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 STB28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 5281stb28n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 5281stb28n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 STB28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.