Продукція > STMICROELECTRONICS > STB28N60M2
STB28N60M2

STB28N60M2 STMicroelectronics

en.DM00095328.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB28N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB28N60M2 за ціною від 60.40 грн до 188.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics stb28n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics stb28n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics en.DM00095328.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.77 грн
100+80.06 грн
500+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics en.DM00095328.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 STMicroelectronics en.DM00095328.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 22A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 stb28n60m2.pdf
STB28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 stb28n60m2.pdf
STB28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 en.DM00095328.pdf
STB28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.12 грн
10+116.77 грн
100+80.06 грн
500+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 en.DM00095328.pdf
STB28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 en.DM00095328.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 22A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.