Продукція > STMICROELECTRONICS > STB28N65M2
STB28N65M2

STB28N65M2 STMicroelectronics

715621793234930dm00150353.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+138.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB28N65M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB28N65M2 за ціною від 103.84 грн до 363.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB28N65M2 STB28N65M2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00150353.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+172.61 грн
500+128.70 грн
1000+104.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.83 грн
10+194.63 грн
100+137.53 грн
500+118.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150353.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.38 грн
10+217.05 грн
100+133.40 грн
500+122.79 грн
1000+103.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715621793234930dm00150353.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+348.08 грн
53+233.13 грн
100+188.61 грн
500+159.24 грн
1000+125.76 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00150353.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+363.08 грн
10+244.03 грн
100+172.61 грн
500+128.70 грн
1000+104.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2
Код товару: 176666
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00150353.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715621793234930dm00150353.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715621793234930dm00150353.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715621793234930dm00150353.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A4B4D444C0D2&compId=stb28n65m2.pdf?ci_sign=af1e99634a7d268636d9038e80770f68cbd784d5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A; 170W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A4B4D444C0D2&compId=stb28n65m2.pdf?ci_sign=af1e99634a7d268636d9038e80770f68cbd784d5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A; 170W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.