Інші пропозиції STB28N65M2 за ціною від 96.02 грн до 370.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB28N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V |
на замовлення 3574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB28N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STB28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STB28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A; 170W; D2PAK; ESD Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.18Ω Drain current: 13A Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 170W Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |