Продукція > STMICROELECTRONICS > STB28NM50N
STB28NM50N

STB28NM50N STMicroelectronics

stb28nm50n-1850044.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.28 грн
10+387.48 грн
25+336.21 грн
100+255.28 грн
250+254.55 грн
500+245.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB28NM50N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STB28NM50N за ціною від 288.32 грн до 600.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB28NM50N STB28NM50N Виробник : STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.84 грн
10+393.21 грн
100+288.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50N STB28NM50N Виробник : STMicroelectronics 400920088103406cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50N Виробник : STMicroelectronics 400920088103406cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50N STB28NM50N Виробник : STMicroelectronics 400920088103406cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50N STB28NM50N Виробник : STMicroelectronics 400920088103406cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM50N STB28NM50N Виробник : STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.