STB28NM60ND

STB28NM60ND STMicroelectronics


ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+310.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB28NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB28NM60ND за ціною від 366.15 грн до 688.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB28NM60ND STB28NM60ND Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+688.38 грн
10+454.97 грн
100+366.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60ND STB28NM60ND Виробник : STMicroelectronics 811637108555469dm00082511.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60ND Виробник : STMicroelectronics 811637108555469dm00082511.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28NM60ND STB28NM60ND Виробник : STMicroelectronics sgst_s_a0000093292_1-2282581.pdf MOSFETs Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.