STB300NH02L

STB300NH02L STMicroelectronics


104cd00152783.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 24V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB300NH02L STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7055 pF @ 15 V.

Інші пропозиції STB300NH02L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB300NH02L STB300NH02L Виробник : STMicroelectronics en.CD00152783.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7055 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.