Продукція > STMICROELECTRONICS > STB30NF10T4
STB30NF10T4

STB30NF10T4 STMicroelectronics

cd00002440.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB30NF10T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STB30NF10T4 за ціною від 48.11 грн до 141.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.34 грн
500+ 64.14 грн
1000+ 48.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.81 грн
10+ 84.59 грн
100+ 67.35 грн
500+ 53.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics stb30nf10-1850079.pdf MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.07 грн
10+ 105.2 грн
100+ 73.18 грн
250+ 67.41 грн
500+ 61.08 грн
1000+ 52.21 грн
2000+ 49.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+141.3 грн
10+ 107.36 грн
100+ 76.34 грн
500+ 64.14 грн
1000+ 48.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
STB30NF10T4 STB30NF10T4
Код товару: 119902 		en.CD00002440.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics STB30NF10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товар відсутній
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics STB30NF10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній