Продукція > STMICROELECTRONICS > STB30NF10T4
STB30NF10T4

STB30NF10T4 STMicroelectronics

cd00002440.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB30NF10T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB30NF10T4 за ціною від 30.88 грн до 146.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+51.49 грн
3000+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+55.17 грн
3000+53.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.53 грн
500+59.53 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6CD96A670E745&compId=STB30NF10.pdf?ci_sign=ae6a132056a6e9402f0c9c0778c4fc2a5e745a64 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.34 грн
5+88.59 грн
10+80.22 грн
24+40.19 грн
64+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.19 грн
10+87.25 грн
100+64.03 грн
500+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002440.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.60 грн
10+95.88 грн
100+62.53 грн
500+49.87 грн
1000+45.02 грн
2000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D6CD96A670E745&compId=STB30NF10.pdf?ci_sign=ae6a132056a6e9402f0c9c0778c4fc2a5e745a64 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.81 грн
5+110.39 грн
10+96.26 грн
24+48.23 грн
64+45.57 грн
5000+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMICROELECTRONICS en.CD00002440.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.25 грн
10+101.18 грн
100+76.53 грн
500+59.53 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4
Код товару: 119902
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00002440.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.