Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB30NF10T4
STB30NF10T4

STB30NF10T4

en.CD00002440.pdf
Код товару: 119902
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB30NF10T4 за ціною від 36.05 грн до 143.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.62 грн
3000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.62 грн
10+82.01 грн
50+61.69 грн
100+51.75 грн
500+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMicroelectronics STB30NF10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.34 грн
5+101.39 грн
10+89.31 грн
23+41.82 грн
62+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMicroelectronics en.CD00002440.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMICROELECTRONICS SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10T4 STMICROELECTRONICS SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 cd00002440.pdf
STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 en.CD00002440.pdf
STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 cd00002440.pdf
STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 cd00002440.pdf
STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 cd00002440.pdf
STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+58.62 грн
3000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 cd00002440.pdf
STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 en.CD00002440.pdf
STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.62 грн
10+82.01 грн
50+61.69 грн
100+51.75 грн
500+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 STB30NF10.pdf
STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 115W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+143.34 грн
5+101.39 грн
10+89.31 грн
23+41.82 грн
62+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 en.CD00002440.pdf
STB30NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 35 Amp
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB30NF10T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF10T4 SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB30NF10T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.