STB30NF20L

STB30NF20L STMicroelectronics


en.DM00047476.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB30NF20L STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.066 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StripFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STB30NF20L за ціною від 53.20 грн до 197.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB30NF20L STB30NF20L Виробник : STMicroelectronics dm00047476.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+75.73 грн
2000+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20L STB30NF20L Виробник : STMicroelectronics dm00047476.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+81.14 грн
2000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20L STB30NF20L Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002909859-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.066 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20L STB30NF20L Виробник : STMicroelectronics en.DM00047476.pdf MOSFETs N-Ch 200V 0.065 Ohm 30A STripFET 150W
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.87 грн
10+124.28 грн
100+78.09 грн
500+70.42 грн
1000+55.92 грн
2000+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20L STB30NF20L Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002909859-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB30NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.066 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StripFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.52 грн
10+137.47 грн
100+99.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20L STB30NF20L Виробник : STMicroelectronics en.DM00047476.pdf Description: MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.96 грн
10+120.25 грн
100+82.91 грн
500+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB30NF20L STB30NF20L Виробник : STMicroelectronics dm00047476.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+197.90 грн
84+154.02 грн
100+151.44 грн
500+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.