Продукція > STMICROELECTRONICS > STB31N65M5

STB31N65M5 STMicroelectronics

Name: STB31N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 150776-4
Price: 674.7 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

на замовлення 946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	337.35 грн
100+	330.85 грн
250+	272.28 грн
500+	256.13 грн
1000+	146.05 грн
2000+	137.97 грн
5000+	137.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STB31N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB31N65M5

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STB31N65M5	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STB31N65M5	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STB31N65M5	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STB31N65M5	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.