Продукція > STMICROELECTRONICS > STB33N60DM2
STB33N60DM2

STB33N60DM2 STMicroelectronics

ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+146.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB33N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB33N60DM2 за ціною від 145.66 грн до 421.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB33N60DM2 STB33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.17 грн
10+251.43 грн
100+179.88 грн
500+162.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM2 STB33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm2-1850172.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.42 грн
10+280.88 грн
25+242.04 грн
100+175.09 грн
500+147.14 грн
1000+145.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM2 STB33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.