Продукція > STMICROELECTRONICS > STB33N60DM6
STB33N60DM6

STB33N60DM6 STMicroelectronics

stb33n60dm6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.94 грн
10+302.32 грн
100+218.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB33N60DM6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB33N60DM6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB33N60DM6 STB33N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00596721.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00596721.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM6 STB33N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N60DM6 STB33N60DM6 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm6-1588894.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.