Продукція > STMICROELECTRONICS > STB33N60M2
STB33N60M2

STB33N60M2 STMicroelectronics

stb33n60m2-1850311.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.96 грн
10+ 236.81 грн
100+ 163.41 грн
500+ 145.47 грн
1000+ 124.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB33N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB33N60M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB33N60M2 STB33N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB33N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB33N60M2 STB33N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB33N60M2 STB33N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00095324.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
товар відсутній
STB33N60M2 STB33N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00095324.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
товар відсутній