Продукція > STMICROELECTRONICS > STB33N65M2
STB33N65M2

STB33N65M2 STMicroelectronics

en.DM00151754.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+131.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB33N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB33N65M2 за ціною від 125.61 грн до 383.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB33N65M2 STB33N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.88 грн
10+228.27 грн
100+162.75 грн
500+145.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N65M2 STB33N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00151754.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 4497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.14 грн
10+251.49 грн
100+161.93 грн
500+148.31 грн
1000+125.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715435069263439dm00151754.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB33N65M2 STB33N65M2 Виробник : STMicroelectronics 715435069263439dm00151754.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.