STB34N50DM2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB34N50DM2AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STB34N50DM2AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB34N50DM2AG | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STB34N50DM2AG | STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STB34N50DM2AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
STB34N50DM2AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| STB34N50DM2AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STB34N50DM2AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STB34N50DM2AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 26A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 26A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STB34N50DM2AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 26A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 26A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.