STB34NM60N STMicroelectronics
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 387.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB34NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STB34NM60N за ціною від 247.02 грн до 784.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STB34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 29A; 250W; D2PAK,TO263; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 25V On-state resistance: 92mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Gate charge: 84nC |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
STB34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STB34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STB34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STB34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |