STB35N60DM2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 439.24 грн |
| 10+ | 308.90 грн |
| 25+ | 267.14 грн |
| 100+ | 202.56 грн |
| 250+ | 201.09 грн |
| 500+ | 183.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB35N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STB35N60DM2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STB35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
STB35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
| STB35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||
|
|
STB35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
STB35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STB35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |