Продукція > STMICROELECTRONICS > STB36N60M6
STB36N60M6

STB36N60M6 STMicroelectronics

STB36N60M6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+202.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB36N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB36N60M6 за ціною від 183.59 грн до 421.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB36N60M6 STB36N60M6 Виробник : STMicroelectronics STB36N60M6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.86 грн
10+ 317.46 грн
100+ 256.82 грн
500+ 214.24 грн
STB36N60M6 STB36N60M6 Виробник : STMicroelectronics stb36n60m6-1850081.pdf MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+421.38 грн
10+ 349.33 грн
25+ 196.28 грн
100+ 188.27 грн
250+ 186.26 грн
500+ 184.26 грн
1000+ 183.59 грн
STB36N60M6 STB36N60M6 Виробник : STMicroelectronics 2095668084081272dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STB36N60M6 Виробник : STMicroelectronics 2095668084081272dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній