Продукція > STMICROELECTRONICS > STB36NM60N
STB36NM60N

STB36NM60N STMicroelectronics

en.CD00244342.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+278.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB36NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STB36NM60N за ціною від 247.92 грн до 556.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB36NM60N STB36NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00244342.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.01 грн
10+405.70 грн
100+338.06 грн
500+279.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB36NM60N STB36NM60N Виробник : STMicroelectronics stb36nm60n-1850202.pdf MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.18 грн
10+494.93 грн
100+356.07 грн
500+309.72 грн
1000+270.00 грн
2000+259.70 грн
5000+247.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB36NM60N STB36NM60N Виробник : STMicroelectronics 734483642544203cd00244342.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB36NM60N Виробник : STMicroelectronics 734483642544203cd00244342.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.