STB36NM60ND STMicroelectronics
на замовлення 975 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 545.65 грн |
| 10+ | 476.66 грн |
| 100+ | 344.78 грн |
| 250+ | 339.53 грн |
| 500+ | 293.06 грн |
| 1000+ | 243.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB36NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 190W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Інші пропозиції STB36NM60ND за ціною від 206.06 грн до 569.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB36NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB36NM60ND | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 190W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB36NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
STB36NM60ND Код товару: 158786
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
|
|
STB36NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STB36NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
STB36NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |