STB36NM60ND


STx36NM60ND_DS.pdf
Код товару: 158786
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB36NM60ND за ціною від 199.21 грн до 532.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB36NM60ND STB36NM60ND STMicroelectronics STx36NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.99 грн
10+346.52 грн
100+252.37 грн
500+199.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB36NM60ND STB36NM60ND STMicroelectronics sgsts50125_1-2282663.pdf MOSFET Auto-grade N-CH 650V 29A FDmesh II 0.097
на замовлення 975 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB36NM60ND STx36NM60ND_DS.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+532.99 грн
10+346.52 грн
100+252.37 грн
500+199.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB36NM60ND sgsts50125_1-2282663.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Auto-grade N-CH 650V 29A FDmesh II 0.097
на замовлення 975 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.