Продукція > STMICROELECTRONICS > STB38N65M5
STB38N65M5

STB38N65M5 STMicroelectronics

12367dm00049157.pdf Виробник: STMicroelectronics
STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+209.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB38N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STB38N65M5 за ціною від 183.51 грн до 582.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+227.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS 2362749.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+374.46 грн
50+295.56 грн
100+233.75 грн
250+221.19 грн
500+202.35 грн
1250+183.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS 2362749.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+520.17 грн
5+447.72 грн
10+374.46 грн
50+295.56 грн
100+233.75 грн
250+221.19 грн
500+202.35 грн
1250+183.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb38n65m5-1850254.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+582.47 грн
10+414.75 грн
100+291.72 грн
500+259.06 грн
1000+208.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5
Код товару: 58402
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ST en.DM00049157.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Опис: MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics 12367dm00049157.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics STB38N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049157.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049157.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 Виробник : STMicroelectronics STB38N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.