STB38N65M5
Код товару: 58402
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Опис: MOSFET N-канал 650 В, 0,076 Ом, 30 А, MDmesh V
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STB38N65M5 за ціною від 216.05 грн до 510.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB38N65M5 | STMicroelectronics |
STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STB38N65M5 | STMicroelectronics |
STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB38N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB38N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STB38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
STB38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| STB38N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 301.84 грн |
| STB38N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 302.09 грн |
| STB38N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 510.26 грн |
| 10+ | 331.80 грн |
| 50+ | 263.31 грн |
| 100+ | 226.44 грн |
| 500+ | 216.05 грн |
| STB38N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB38N65M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB38N65M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)