STB3NK60ZT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.84 грн |
| 10+ | 57.51 грн |
| 100+ | 38.15 грн |
| 500+ | 28.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB3NK60ZT4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції STB3NK60ZT4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STB3NK60ZT4 | Виробник : ST |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| STB3NK60ZT4 | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 600V 2.4A 45W, D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
|
|
STB3NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
товару немає в наявності |
|
 |
STB3NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH |
товару немає в наявності |