Продукція > STMICROELECTRONICS > STB3NK60ZT4

STB3NK60ZT4 STMicroelectronics

Name: STB3NK60ZT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 11489349-3
Price: 403.56 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	100.89 грн
10+	61.38 грн
100+	40.71 грн
500+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STB3NK60ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm.

Інші пропозиції STB3NK60ZT4

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STB3NK60ZT4	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STB3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm	на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STB3NK60ZT4	ST	TO-263/D2-PAK	на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.

STB3NK60ZT4

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STB3NK60ZT4

Виробник: ST
TO-263/D2-PAK

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.