STB40NF10LT4


en.CD00002408.pdf
Код товару: 172505
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB40NF10LT4 за ціною від 42.50 грн до 256.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+84.53 грн
2000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+86.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+90.71 грн
2000+87.83 грн
3000+86.94 грн
10000+82.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+96.10 грн
2000+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+113.51 грн
2000+105.93 грн
3000+105.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics 1684683848805177cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+121.54 грн
2000+113.43 грн
3000+112.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics STB40NF10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.60 грн
10+129.54 грн
100+93.37 грн
250+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002408.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.27 грн
10+140.06 грн
100+97.34 грн
500+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002408.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.54 грн
10+148.67 грн
100+90.15 грн
500+76.87 грн
1000+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMICROELECTRONICS en.CD00002408.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+256.00 грн
10+166.32 грн
100+116.59 грн
500+92.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 Виробник : STM stb40nf10l.pdf N-channel 100V - 0.028. - 40A - D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics STB40NF10L_ST.pdf N-канальний ПТ, Id = 40 А, Ptot, Вт = 150, Udss, В = 100, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300 @ 25, Qg, нКл = 64 @ 4,5 В, Rds = 33 мОм @ 20 А, 10 В, Tексп, °C = -65...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. ви
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002408.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.