Інші пропозиції STB40NF10LT4 за ціною від 46.36 грн до 258.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 92.22 грн |
| 2000+ | 46.36 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 94.69 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 97.84 грн |
| 2000+ | 94.69 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 98.95 грн |
| 2000+ | 95.81 грн |
| 3000+ | 94.84 грн |
| 10000+ | 90.08 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 123.75 грн |
| 2000+ | 115.49 грн |
| 3000+ | 114.96 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 123.83 грн |
| 2000+ | 115.56 грн |
| 3000+ | 115.02 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.82 грн |
| 10+ | 138.83 грн |
| 100+ | 97.35 грн |
| 250+ | 86.34 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.71 грн |
| 10+ | 162.43 грн |
| 50+ | 124.96 грн |
| 100+ | 105.93 грн |
| 500+ | 86.06 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







