Інші пропозиції STB40NF10LT4 за ціною від 46.36 грн до 226.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: SuperMesh™ Drain current: 25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±15V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
STB40NF10LT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 92.22 грн |
| 2000+ | 46.36 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 94.69 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 97.84 грн |
| 2000+ | 94.69 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 98.95 грн |
| 2000+ | 95.81 грн |
| 3000+ | 94.84 грн |
| 10000+ | 90.08 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 123.75 грн |
| 2000+ | 115.49 грн |
| 3000+ | 114.96 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 123.83 грн |
| 2000+ | 115.56 грн |
| 3000+ | 115.02 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 222.11 грн |
| 10+ | 139.32 грн |
| 100+ | 96.83 грн |
| 500+ | 77.71 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 226.19 грн |
| 10+ | 137.23 грн |
| 100+ | 96.23 грн |
| 250+ | 85.35 грн |
| STB40NF10LT4 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






