Продукція > STMICROELECTRONICS > STB41N40DM6AG
STB41N40DM6AG

STB41N40DM6AG STMICROELECTRONICS

stb41n40dm6ag.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB41N40DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 41 A, 0.05 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+412.38 грн
100+323.89 грн
500+259.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB41N40DM6AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STB41N40DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 41 A, 0.05 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB41N40DM6AG за ціною від 259.67 грн до 577.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB41N40DM6AG STB41N40DM6AG Виробник : STMICROELECTRONICS stb41n40dm6ag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB41N40DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 41 A, 0.05 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+511.71 грн
10+412.38 грн
100+323.89 грн
500+259.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB41N40DM6AG STB41N40DM6AG Виробник : STMicroelectronics stb41n40dm6ag-1850228.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.33 грн
10+514.31 грн
25+426.39 грн
100+369.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB41N40DM6AG STB41N40DM6AG Виробник : STMicroelectronics stb41n40dm6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 41A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB41N40DM6AG STB41N40DM6AG Виробник : STMicroelectronics stb41n40dm6ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB41N40DM6AG STB41N40DM6AG Виробник : STMicroelectronics stb41n40dm6ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.