STB42N60M2-EP STMicroelectronics
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 211.03 грн |
| 2000+ | 210.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB42N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STB42N60M2-EP за ціною від 188.03 грн до 573.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB42N60M2-EP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB42N60M2-EP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STB42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |