STB42N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 433.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB42N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB42N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STB42N65M5 за ціною від 429.34 грн до 857.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB42N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB42N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB42N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-ch 650 Volt 33Amp |
на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB42N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB42N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB42N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB42N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STB42N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STB42N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STB42N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STB42N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.8A; 190W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ |
товару немає в наявності |