STB45N40DM2AG

STB45N40DM2AG STMicroelectronics


en.DM00225195.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+557.49 грн
10+364.24 грн
100+266.85 грн
500+244.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB45N40DM2AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STB45N40DM2AG за ціною від 226.52 грн до 584.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB45N40DM2AG STB45N40DM2AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00225195.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.65 грн
10+391.14 грн
100+249.52 грн
500+243.94 грн
1000+226.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AG Виробник : STM en.DM00225195.pdf MOSFET, N-CH, 400V, 38A, TO263AB-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N40DM2AG STB45N40DM2AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00225195.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.