Продукція > STMICROELECTRONICS > STB45N50DM2AG
STB45N50DM2AG

STB45N50DM2AG STMicroelectronics

en.DM00232376.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+240.83 грн
2000+ 217.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB45N50DM2AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STB45N50DM2AG за ціною від 223.85 грн до 461.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00232376.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.66 грн
10+ 350.47 грн
100+ 292.04 грн
500+ 241.82 грн
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG Виробник : STMicroelectronics stb45n50dm2ag-1850348.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+461.11 грн
10+ 390.35 грн
25+ 327.48 грн
100+ 282.31 грн
250+ 279.65 грн
500+ 249.76 грн
1000+ 223.85 грн
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG Виробник : STMicroelectronics 1419780250929509dm002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB45N50DM2AG Виробник : STMicroelectronics 1419780250929509dm002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG Виробник : STMicroelectronics 1419780250929509dm002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG Виробник : STMicroelectronics 1419780250929509dm002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 35A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній