STB45N60DM2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 224.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB45N60DM2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STB45N60DM2AG за ціною від 232.94 грн до 502.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB45N60DM2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB45N60DM2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STB45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STB45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; D2PAK Drain-source voltage: 650V Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Case: D2PAK Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 136A On-state resistance: 93mΩ Drain current: 21A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STB45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; D2PAK Drain-source voltage: 650V Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Case: D2PAK Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET Pulsed drain current: 136A On-state resistance: 93mΩ Drain current: 21A |
товару немає в наявності |