Продукція > STMICROELECTRONICS > STB45N65M5
STB45N65M5

STB45N65M5 STMicroelectronics

en.DM00049184.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+253.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB45N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 210W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm.

Інші пропозиції STB45N65M5 за ціною від 272.78 грн до 710.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+365.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+365.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+416.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+417.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics en.DM00049184.pdf Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.37 грн
10+407.40 грн
50+326.23 грн
100+281.67 грн
500+280.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+645.55 грн
10+516.74 грн
100+359.08 грн
1000+338.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+645.55 грн
28+516.74 грн
100+359.08 грн
1000+338.66 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics en.DM00049184.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+671.48 грн
10+362.48 грн
100+289.61 грн
500+288.87 грн
1000+272.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMicroelectronics 11184dm00049184.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+710.95 грн
27+543.89 грн
50+482.19 грн
100+388.09 грн
200+351.71 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 STB45N65M5 STMICROELECTRONICS SGSTS48869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 11184dm00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+365.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 11184dm00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+365.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 11184dm00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+416.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 11184dm00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+417.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 en.DM00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+619.37 грн
10+407.40 грн
50+326.23 грн
100+281.67 грн
500+280.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 11184dm00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+645.55 грн
10+516.74 грн
100+359.08 грн
1000+338.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 11184dm00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+645.55 грн
28+516.74 грн
100+359.08 грн
1000+338.66 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 en.DM00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+671.48 грн
10+362.48 грн
100+289.61 грн
500+288.87 грн
1000+272.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 11184dm00049184.pdf
STB45N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+710.95 грн
27+543.89 грн
50+482.19 грн
100+388.09 грн
200+351.71 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB45N65M5 SGSTS48869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB45N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.