Технічний опис STB45N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STB45N65M5 за ціною від 280.85 грн до 704.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB45N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
на замовлення 1219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STB45N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 362.30 грн |
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 412.88 грн |
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 413.63 грн |
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
Description: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 620.09 грн |
| 10+ | 407.64 грн |
| 100+ | 300.35 грн |
| 500+ | 280.85 грн |
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 639.84 грн |
| 10+ | 512.17 грн |
| 100+ | 355.90 грн |
| 1000+ | 335.66 грн |
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 639.84 грн |
| 28+ | 512.17 грн |
| 100+ | 355.90 грн |
| 1000+ | 335.66 грн |
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 704.66 грн |
| 27+ | 539.08 грн |
| 50+ | 477.93 грн |
| 100+ | 384.65 грн |
| 200+ | 348.60 грн |
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB45N65M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)